(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211078007.6 (22)申请日 2022.09.05 (71)申请人 青海黄河上游水电开发有限责任公 司西宁太阳能电力分公司 地址 810007 青海省西宁市东川工业园金 硅路4号 申请人 青海黄河上游水电开发有限责任公 司西安太阳能电力分公司 　 国家电投集团黄河上游水电开发有 限责任公司 　 青海黄河上游水电开发有限责任公 司 (72)发明人 谭新　李拴　王举亮　代同光　 (74)专利代理 机构 深圳市铭粤知识产权代理有 限公司 4 4304 专利代理师 孙伟峰(51)Int.Cl. B08B 3/08(2006.01) B08B 3/04(2006.01) F26B 21/00(2006.01) (54)发明名称 一种LPCVD石英舟的饱和清洗方法 (57)摘要 本发明提出了一种LPCVD石英舟的饱和清洗 方法， 所述饱和清洗方法包括： 对使用次数到达 清洗阈值区间的LPCVD石英舟进行碱洗， 并根据 LPCVD石英舟是使用次数控制碱洗时长； 对碱洗 后的LPCVD石英舟进行水洗处理； 对水洗后的 LPCVD石英舟进行干燥处理； 对干燥后的LPCVD石 英舟进行饱和处理； 对饱和后的LPCVD石英舟进 行冷却处理。 本发明通过根据使用次数对达到使 用次数清洗阈值区间的LPCVD 石英舟进行不同程 度的碱洗以及水洗、 干燥、 饱和冷却处理， 从而降 低了LPCVD石英舟受应力隐裂风险以及 清洗过程 中被化学品腐蚀的风险， 提高石英舟使用寿 命。 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 CN 115430652 A 2022.12.06 CN 115430652 A 1.一种LPCVD石英舟的饱和清洗方法， 其特 征在于， 所述饱和清洗方法包括： 对使用次数到达清洗阈值区间的LPCVD石英舟进行碱洗， 并根据LPCVD石英舟是使用次 数控制碱 洗时长； 对碱洗后的LPCVD石英舟进行 水洗处理； 对水洗后的LPCVD石英舟进行干燥处 理； 对干燥后的LPCVD石英舟进行饱和处 理； 对饱和后的LPCVD石英舟进行冷却处 理。 2.根据权利要求1中所述的一种LPCVD石英舟的饱和清洗方法， 其特征在于， 所述碱洗 过程中使用的碱 洗液为氢 氧化钠溶 液或氢氧化钾溶 液。 3.根据权利要求2中所述的一种LPCVD石英舟的饱和清洗方法， 其特征在于， 所述碱洗 过程中使用的氢 氧化钠溶 液或氢氧化钾溶 液的浓度为5％。 4.根据权利要求2中所述的一种LPCVD石英舟的饱和清洗方法， 其特征在于， 所述水洗 处理过程中需要将 碱洗后的LPCVD石英舟放入 纯水中浸泡， 浸泡时长根据LP CVD石英舟的使 用次数进行调整。 5.根据权利要求1中所述的一种LPCVD石英舟的饱和清洗方法， 其特征在于， 所述碱洗 时长至少为60分钟。 6.根据权利要求5中所述的一种LPCVD石英舟的饱和清洗方法， 其特征在于， 使用次数 到达清洗阈值区间的所述LP CVD石英舟的使用次数每增加10次， LP CVD石英舟的碱洗时长增 加10分钟。 7.根据权利要求6中所述的一种LPCVD石英舟的饱和清洗方法， 其特征在于， 所述清洗 阈值区间为10 0次‑150次。 8.根据权利要求6中所述的一种LPCVD石英舟的饱和清洗方法， 其特征在于， 所述饱和 处理中， 需要将干燥后的LPCVD石英舟置于炉温为580℃ ‑620℃、 压强为0.15Torr ‑0.25Torr 的管式LPCVD炉管中， 通入流 量为350sccm‑400sccm的气态硅烷进行饱和沉积。 9.根据权利要求8中所述的一种LPCVD石英舟的饱和清洗方法， 其特征在于， 所述饱和 沉积的时长为90分钟 ‑120分钟。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 115430652 A 2一种LPCVD石英舟的饱和清洗方 法 技术领域 [0001]本发明属于晶体硅太阳电池技术领域， 尤其涉及一种LPCVD石英舟的饱和清洗方 法。 背景技术 [0002]近年来， ToPCon高效太阳电池(隧穿氧化层钝化接触的太阳能 电池)技术飞速发 展， 已实现大规模产业化。 在ToPCon高效太阳电池的生产过程中， 需要进行LPCVD(低压化学 气象沉积)工序。 其中， LPCVD工序是在电池背面制备一层超薄可隧穿的氧化层和一层多晶 硅薄层， 主要原理是采用气态硅烷在高温、 低压下发生热分解生成多晶硅沉积在N型晶体硅 表面。 [0003]在进行LPCVD工序时， 先将硅片插在石英舟内， 然后将插满硅片的石英舟放入 LPCVD炉管内进 行沉积， 沉积 完毕后将硅片从石英舟内取出， 然后再插入新的硅片进 行下一 批沉积， 因此在生产过程中， 石英舟是重复使用的。 多晶硅薄膜也不可避免的沉积到石英舟 上， 且随着使用次数的增加， 石英舟上多晶硅膜的厚度越来越厚。 在多晶硅与石英之 间的晶 格失配及热应力作用下， 最 终将导致石英舟发生隐裂甚至断裂。 随着时间的增加， 发生隐裂 的可能性越大， 如不及时进行处 理， 最终导 致石英舟及上面承载的硅片报 废。 [0004]现有的清洗石英舟的方法未考虑因多晶硅与石英之间的晶格失配及应力作用， 在 洗掉石英舟表面所有沉积的多晶硅的同时， 也使得化学品直接与石英舟进 行反应从而致使 石英舟隐裂。 发明内容 [0005]为了解决背景技术中所述的对现有清洗石英舟的方法未考虑因多晶硅与石英之 间的晶格失配及应力作用， 在洗掉石英舟表面沉积的多晶硅的同时， 也使得化学品直接与 石英舟反应从而致使 石英舟隐裂的问题， 本发明提出了如下技 术方案： [0006]一种LPCVD石英舟的饱和清洗方法， 所述饱和清洗方法包括： [0007]对使用次数到达清洗阈值区间的LPCVD石英舟进行碱洗， 并根据LPCVD石英舟是使 用次数控制碱 洗时长； [0008]对碱洗后的LPCVD石英舟进行 水洗处理； [0009]对水洗后的LPCVD石英舟进行干燥处 理； [0010]对干燥后的LPCVD石英舟进行饱和处 理； [0011]对饱和后的LPCVD石英舟进行冷却处 理。 [0012]其中， 所述碱 洗过程中使用的碱 洗液为氢 氧化钠溶 液或氢氧化钾溶 液。 [0013]进一步地， 所述碱 洗过程中使用的氢 氧化钠溶 液或氢氧化钾溶 液的浓度为5％。 [0014]进一步地， 所述水洗处理过程中需要将碱洗后的LPCVD石英舟放入纯水中浸泡， 浸 泡时长根据LPCVD石英舟的使用次数进行调整。 [0015]进一步地， 所述碱 洗时长至少为60分钟。说　明　书 1/4 页 3 CN 115430652 A 3