(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211018423.7 (22)申请日 2022.08.24 (71)申请人 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 地址 311201 浙江省杭州市钱塘新区东垦 路888号 (72)发明人 陈坚　 (74)专利代理 机构 杭州融方专利代理事务所 (普通合伙) 33266 专利代理师 沈相权 (51)Int.Cl. B08B 9/28(2006.01) B08B 3/12(2006.01) F26B 5/04(2006.01) F26B 5/08(2006.01) F26B 20/00(2006.01)F26B 21/00(2006.01) F26B 25/18(2006.01) (54)发明名称 运用于12英寸回收片盒的清洗 工艺 (57)摘要 本发明涉及一种运用于12英寸回收片盒的 清洗工艺， 所属回收片盒清洗技术领域， 包括如 下操作步骤： 第一步： 纯水喷淋预清洗去除表面 脏污。 第二步： 超音波浸泡清洗， 便于更好的去除 回收片盒上的脏污。 第三步： 进行最终喷淋清洗， 片盒盒盖向下， 底部出水口想片盒内室喷淋超纯 水。 第四步： 连续进行若干次烘干处理， 对片盒进 行干燥。 第五步： 真 空干燥， 通过真空的方式去除 片盒内部残留的水汽。 第六步： 片盒从真空干燥 腔结束以后， 进入缓冲静置区， FFU由上往下吹 扫， 对片盒起到冷却降温的处理。 第七步： 缓冲静 置结束后， 取下片盒的盒体与盒盖， 在离子棒正 下方区域进行组装。 实现对回收片盒进行比较彻 底的清洗与干燥， 保证片盒内部无湿气残留。 权利要求书2页 说明书4页 CN 115502159 A 2022.12.23 CN 115502159 A 1.一种运用于12英寸回收片盒的清洗 工艺， 其特 征在于包括如下操作步骤： 第一步： 纯水喷淋预清洗， 水温25℃常温喷淋1000秒， 水流量36.9Lpm通过不断的喷淋 式洗净对回收片盒进行 预清洗处 理， 去除表面脏 污； 第二步： 超音波浸泡清洗， 水温50℃， 时间为1000秒， 水流量25Lpm， 片盒在槽内上下浮 动， 便于更好的去除回收片盒上的脏 污； 第三步： 进行最终喷淋清洗， 片盒盒盖向下， 底部出水口想片盒内室喷淋超纯水， 水温 50℃， 水流 量37Lpm， 喷淋时间10 00秒； 第四步： 连续进行若干次烘干处理， 每次采用压力为5.2kg的压缩空气对片盒进行吹 扫， 温度75℃， 吹扫时间为1000秒， 采用履带式传输轨道来回移动的干燥方式， 对片盒进行 干燥； 第五步： 真空干燥， 温度60℃， 干燥时间1000秒， 真空干燥为全封闭密闭腔室内加压方 式， 通过真空的方式去除片盒内部残留的水汽； 第六步： 片盒从真空干燥腔结束以后， 进入缓冲静置区， FFU由上往下吹扫， 对片盒起到 冷却降温的处理， 防止真空干燥后的片盒由于温度过高而导致吸湿环境中的水汽， 冷却时 间1000秒； 第七步： 缓冲静置结束后， 取 下片盒的盒体与盒盖， 在离 子棒正下方区域进行组装。 2.根据权利要求1所述的运用于12英寸回收片 盒的清洗工艺， 其特征在于： 片 盒的盒盖 置于不锈钢架中间的旋转盘内， 在压缩空气的不断吹扫下， 片盒的盒盖随着旋转盘高速旋 转， 充分甩干盒盖内的残留的水分。 3.根据权利要求1所述的运用于12英寸回收片 盒的清洗工艺， 其特征在于： 片 盒水中颗 粒测定， 往洗净后的回收片盒内注入水， 水位没过把手处， 盖紧盒盖以后摇晃5圈， 静置2小 时以后， 使用颗粒测定仪检测每毫升水中0.2um颗粒数， 合格标准为0.2um≤150ea/ml， 实际 测量值为30～40ea/ml。 4.根据权利要求1所述的运用于12英寸回收片 盒的清洗工艺， 其特征在于： 片 盒水中金 属测定， 往洗净后的片盒内注入水， 用ICP ‑MS检测水中金属含量， 检测的金属有Na、 Mg、 K、 Ca、 Al、 Ti 、 Cr、 Mn、 F e、 Co、 Ni、 Cu、 Zn、 Mo、 Pb， 合格标准 为≤100ppt， 实测值均≤10p pt。 5.根据权利 要求1所述的运用于12英寸回收片盒的清洗工艺， 其特征在于： TDH测试， 在 洗净后的片盒内装入硅片， 并用一层P E袋和1层铝箔袋真空包装， 放入高湿度高低温实验箱 内进行恶化测试， 静置24小时后取出， 检测硅片表面颗粒增加量， 合格标准为0.2um≤5ea/ wafer， 实测值0.2um≤2ea/wafer。 6.根据权利要求5所述的运用于12英寸回收片 盒的清洗工艺， 其特征在于： 验证回收片 盒在清洗时是否完全干燥， 若在片盒未完全干燥的情况下， 经过TDH测试后， 硅片表面会呈 现较多的颗粒变化量， 发生的沟槽位置随机无特定规律， 颗粒在硅片表面增加 也呈现随机 分布无规则。 7.根据权利要求1所述的运用于12英寸回收片盒的清洗工艺， 其特征在于： 运输测试， 在洗净后的回收片盒内装入硅片， 用1层PE袋和1层铝箔袋进行真空包装， 进行长途空运测 试， 空运返回后检测硅片表面颗粒增加量， 合格标准为0.2um≤5ea/wafer,实测值为0.2um ≤2ea/wafer。 8.根据权利要求7所述的运用于12英寸回收片 盒的清洗工艺， 其特征在于： 模拟实际出权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115502159 A 2货过程中遇到的实际问题， 而空运测试则考虑到陆地与高空温度差异较大时对片盒 内的硅 片品质是否存在影响， 当片盒内部未完全清洗洁净或未完全干燥的情况下， 经过空运过程 的高低温变化， 硅片表面会引起TDH， 颗粒增 加， 导致硅片表面颗粒聚集。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115502159 A 3