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(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210618215.4 (22)申请日 2022.05.31 (71)申请人 OPPO广东移动通信有限公司 地址 523860 广东省东莞 市长安镇乌沙海 滨路18号 (72)发明人 于宗强 吉斌 (74)专利代理 机构 深圳市威世博知识产权代理 事务所(普通 合伙) 44280 专利代理师 唐双 (51)Int.Cl. H05K 5/02(2006.01) (54)发明名称 电子设备、 壳体及其制备方法 (57)摘要 本申请公开了电子设备、 壳体及其制备方 法。 壳体包括基底和图案层, 所述图案层设于所 述基底的一侧, 并覆盖所述基底的部分表面, 所 述图案层具有logo图案, 所述图案层包括粘接 层、 第一色散复合层以及第一UV纹理层。 粘接层 与所述基底粘接, 第一色散复合层设于粘接层远 离所述基底的一侧, 用于对复合光线产生色散, 第一UV纹理层设于所述第一色散复合层远离所 述粘接层的一侧。 通过上述方式, 本申请壳体通 过第一色散复合层能够达到炫 彩的视觉效果, 提 升了外观表现力。 权利要求书2页 说明书13页 附图6页 CN 114885552 A 2022.08.09 CN 114885552 A 1.一种壳体, 其特征在于, 包括基底和图案层, 所述图案层设于所述基底的一侧, 并覆 盖所述基底的部分表面, 所述图案层具有l ogo图案, 所述图案层包括: 粘接层, 与所述基底粘接; 第一色散复合层, 设于粘接层远离所述基底的一侧, 用于对复合 光线产生色散; 第一UV纹 理层, 设于所述第一色散复合层远离所述粘接层的一侧。 2.根据权利要求1所述的壳体, 其特 征在于, 所述第一色散复合层包括若干个层叠设置的色散层, 相邻 两个所述色散层的折射率不 同。 3.根据权利要求2所述的壳体, 其特 征在于, 所述第一色散复合层包括依次层叠设置的第一SiO2层、 In2O3层、 第二SiO2层、 SnO层、 第三SiO2层。 4.根据权利要求2所述的壳体, 其特 征在于, 所述第一色散复合层包括依次层叠设置的第四SiO2层、 第一ZrO2层、 第一TiO2层、 第五 SiO2层、 第二TiO2层、 第六SiO2层、 第三TiO2层。 5.根据权利要求1所述的壳体, 其特 征在于, 所述壳体还 包括: 外纹理层, 设于所述基底远离所述图案层的一侧; 第二UV纹 理层, 设置 于所述基底的一侧, 并覆盖所述基底未被所述图案层覆盖的区域; 第二色散复合层, 设置于所述第二UV纹理层远离所述基底的一侧, 用于对复合光线产 生色散; 油墨层, 设于所述第二色散复合层远离所述第二UV纹 理层的一侧。 6.根据权利要求5所述的壳体, 其特 征在于, 所述第二色散复合层包括依次层叠设置的第七SiO2层、 第二ZrO2层、 第四TiO2层、 第八 SiO2层、 第五TiO2层、 第九SiO2层、 第六TiO2层。 7.一种壳体的制备 方法, 其特 征在于, 包括; 提供衬底和基底; 在所述衬底上转印第一UV纹 理层; 在所述第 一UV纹理层上镀制第 一色散复合层, 所述第 一色散复合层用于对 复合光线产 生色散; 在所述第一色散复合层上印刷粘接层; 对上述所有材 料进行切割成l ogo图案; 去除所述衬底, 得到图案层, 将所述图案层的所述粘接层粘接在所述基底上。 8.根据权利要求7所述的制备方法, 其特征在于, 所述在所述第一UV 纹理层上镀制第一 色散复合层的步骤 包括: 使用PVD镀膜的方法, 依次在所述衬底上镀制第一SiO2层、 In2O3层、 第二SiO2层、 SnO 层、 第三SiO2层; 或者, 所述步骤包括: 使用PVD镀膜的方法, 依次在 所述衬底上镀制第四SiO2层、 第一ZrO2层、 第一TiO2层、 第五SiO2层、 第二TiO2层、 第六SiO2层、 第三TiO2层。 9.根据权利要求7 所述的制备 方法, 其特 征在于, 所述方法还 包括: 在所述基底设有所述图案层的一侧点胶UV胶水, 并在所述UV胶水上压印纹理, 得到第权 利 要 求 书 1/2 页 2 CN 114885552 A 2二UV纹理层; 在所述第 二UV纹理层上镀制第 二色散复合层, 所述第 二色散复合层用于对 复合光线产 生色散; 在所述第二色散复合层远离所述第二UV纹 理层的一侧丝印油墨层; 在所述基底远离所述图案层的一侧制备外纹 理层。 10.一种电子设备, 其特征在于, 所述电子设备包括显示屏模组、 控制电路板以及权利 要求1~6任一项所述的壳体, 所述显示屏模组与所述壳体配合形成容置空间, 所述控制电 路板设于所述 容置空间, 并与所述显示屏模组电性连接 。权 利 要 求 书 2/2 页 3 CN 114885552 A 3
专利 电子设备、壳体及其制备方法
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