(19)国家知识产权局
(12)发明 专利申请
(10)申请公布号
(43)申请公布日
(21)申请 号 202211326839.5
(22)申请日 2022.10.27
(71)申请人 吾拾微电子 (苏州) 有限公司
地址 215000 江苏省苏州市苏州工业园区
东富路9号7号楼
(72)发明人 沈达 薛亚玲 管发海
(51)Int.Cl.
B08B 3/02(2006.01)
B08B 15/04(2006.01)
B08B 11/02(2006.01)
B05C 5/02(2006.01)
B05C 13/02(2006.01)
B05B 15/50(2018.01)
H01L 21/67(2006.01)
(54)发明名称
晶圆处理设备
(57)摘要
本申请涉及一种晶圆处理设备, 包括: 机台,
包括架体及将架 体围设以形成安装腔的壳体; 吸
附机构, 设置在安装腔内, 适于产生吸附力将目
标物固定; 涂胶机构, 设置在吸附机构的一侧, 且
可相对于吸附机构移动, 以对目标物进行涂胶;
负压发生机构, 适于使得安装腔内产生负压; 其
中, 负压发生机构包括风机及与风机连通的风
管, 至少部分风管伸入至安装腔内。 通过上述, 其
能够提高清洁 效率、 且能够防止水 溅射。
权利要求书1页 说明书5页 附图3页
CN 115382828 A
2022.11.25
CN 115382828 A
1.一种晶圆处 理设备, 其特 征在于, 包括:
机台, 包括架体及将所述架体围设以形成安装腔的壳体;
吸附机构, 设置在所述 安装腔内, 适于产生吸附力将目标物固定;
涂胶机构, 设置在所述吸附机构的一侧, 且可相对于所述吸附机构移动, 以在所述目标
物的表面上涂覆胶水;
负压发生机构, 适于使得 所述安装腔内产生负压;
其中, 所述负压发生机构包括风机及与所述风机连通的风管, 至少部分所述风管伸入
至所述安装腔 内, 所述吸 附机构包括吸 附外壳及设置在所述吸 附外壳内的吸 附件, 所述吸
附件具有若干个 吸附孔, 若干个 吸附孔适于将目标物吸 附, 所述吸 附件具有将所述 目标物
吸附的吸附面积, 所述吸附面积大于或等于所述目标物的面积;
每个所述吸附孔的孔径为2 ‑50um。
2.如权利要求1所述的晶圆处理设备, 其特征在于, 所述机台还包括与 所述架体连接的
安装件, 所述安装件将所述安装腔分隔成不连通的安置腔体及收容腔体, 于所述架体的高
度方向上, 所述收容腔体和所述 安置腔体上 下叠放设置;
所述风机设置在所述安置腔体内, 所述风管的一端与所述安置腔体连通, 所述风管的
另一端穿过 所述安装件伸入至所述收容腔体内。
3.如权利要求2所述的晶圆处理设备, 其特征在于, 伸入至所述收容腔体 内的所述风管
的高度大于所述吸附机构的高度。
4.如权利要求3所述的晶圆处理设备, 其特征在于, 所述风管与 所述安装件之间还设置
有密封件。
5.如权利要求1所述的晶圆处理设备, 其特征在于, 所述吸附件的表面积大于或等于所
述吸附面积。
6.如权利要求1所述的晶圆处理设备, 其特征在于, 所述吸附机构还包括与 所述吸附件
固定连接的至少一个夹持件, 至少一个所述夹持件用于将所述目标物夹持。
7.如权利要求6所述的晶圆处理设备, 其特征在于, 所述夹持件包括夹持臂及与所述夹
持臂连接的夹持部 。
8.如权利要求1所述的晶圆处理设备, 其特征在于, 所述晶圆处理设备还包括清洗机
构, 所述清洗 机构适于对所述目标物进行清洗 。
9.如权利要求8所述的晶圆处理设备, 其特征在于, 所述晶圆处理设备还包括驱动机
构, 所述驱动机构包括与所述吸附机构连接的第一驱动件、 与所述涂胶机构连接的第二驱
动件及与所述清洗 机构连接的第三驱动件。权 利 要 求 书 1/1 页
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CN 115382828 A
2晶圆处理设备
技术领域
[0001]本申请涉及一种晶圆处 理设备, 属于晶圆制造技 术领域。
背景技术
[0002]晶圆是指制作硅半导体积体电路所用的硅晶圆或化合物半导体之砷化镓, 氮化
镓, 磷化铟晶圆, 由于其形状为圆形, 故称为晶圆。 随着半导体器件关键尺寸的不断缩小以
及新材料 (例如键合胶, 划片保护 胶等) 的引入, 在晶圆的生产加工过程中, 对晶圆表面的洁
净度要求越来越严 苛, 通常需要进行多次清洗, 以去除晶圆上沾附的污垢及胶液残留。 而且
被清洗的晶圆越来越薄 (50 ‑150um的厚度比传统的600um厚度晶圆低很多) , 清洗过程中还
须确保晶圆不会碎裂。 但是, 现有技术中的晶圆的清洗效率较低, 且在清洗过程中水容易溅
射, 从而影响其他设备部件的运行。 因此, 有必 要对现有技术予以改良以克服现有技术中的
所述缺陷。
发明内容
[0003]本申请的目的在于提供一种清洁效率高、 且能够防止水 溅射的晶圆处理设备。
[0004]本申请的目的是通过以下技 术方案实现: 一种晶圆处 理设备, 包括:
机台, 包括架体及将所述架体围设以形成安装腔的壳体;
吸附机构, 设置在所述 安装腔内, 适于产生吸附力将目标物固定;
涂胶机构, 设置在所述吸附机构的一侧, 且可相对于所述吸附机构移动, 以在所述
目标物的表面上涂覆胶水;
负压发生机构, 适于使得 所述安装腔内产生负压;
其中, 所述负压发生机构包括风机及与所述风机连通的风管, 至少部分所述风管
伸入至所述 安装腔内。
[0005]在其中一个实施例中, 所述机台还包括与所述架体连接 的安装件, 所述安装件将
所述安装腔分隔成不连通的安置腔体及收容腔体, 于所述架体的高度方向上, 所述收容腔
体和所述 安置腔体上 下叠放设置;
所述风机设置在所述安置腔体内, 所述风管的一端与所述安置腔体连通, 所述风
管的另一端穿过 所述安装件伸入至所述收容腔体内。
[0006]在其中一个实施例中, 伸入至所述收容腔体内的所述风管的高度大于所述吸附机
构的高度。
[0007]在其中一个实施例中, 所述 风管与所述 安装件之间还设置有密封件。
[0008]在其中一个实施例中, 所述吸附机构包括吸附外壳及设置在所述吸附外壳内的吸
附件, 所述吸附件具有 若干个吸附孔, 若干个吸附孔 适于将目标物吸附;
其中, 每个所述吸附孔的孔径为2 ‑50um。
[0009]在其中一个实施例中, 所述吸附件具有将所述目标物 吸附的吸附面积, 所述吸附
面积大于或等于所述目标物的面积; 所述吸附件的表面积大于或等于所述吸附面积。说 明 书 1/5 页
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专利 晶圆处理设备
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