(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211322315.9 (22)申请日 2022.10.27 (71)申请人 合肥新晶集成电路有限公司 地址 230012 安徽省合肥市新站区综合保 税区内西淝河路8 8号 (72)发明人 刘苏涛　苏财宝　林士闵　渠兴宇　 (74)专利代理 机构 华进联合专利商标代理有限 公司 44224 专利代理师 杜娟娟 (51)Int.Cl. H01L 21/311(2006.01) H01L 21/02(2006.01) H01L 21/67(2006.01) B08B 3/02(2006.01) (54)发明名称 选择性蚀刻方法及装置 (57)摘要 本申请涉及一种选择性蚀刻方法及装置， 用 于对反应槽密封腔体内的待刻蚀物进行刻蚀。 方 法包括控制密封腔体的内部涌入预设体积的目 标蚀刻剂， 目标蚀刻剂包括第一含量的蒸馏水及 第二含量的酸性物质， 第一含量大于第二含量； 根据获取的温度压力控制指令控制设置于密闭 腔体的侧壁的加热装置加热， 利用目标蚀刻剂选 择性刻蚀并去除待刻蚀物上的待刻蚀层。 上述选 择性蚀刻方法的目标蚀刻剂第一含量水大于第 二含量酸性物质 且刻蚀全过程是在同一个反应 槽体内， 降低了成本， 避免了化学污染与浪费， 提 高了效率， 节约了 机台占地空间。 权利要求书2页 说明书8页 附图4页 CN 115376915 A 2022.11.22 CN 115376915 A 1.一种选择性蚀刻方法， 其特征在于， 用于对反应槽密封腔体内的待刻 蚀物进行刻蚀， 所述方法包括： 控制所述密封腔体的内部涌 入预设体积的目标蚀刻剂， 所述目标蚀刻剂包括第 一含量 的蒸馏水及第二含量的酸性物质， 所述第一含量大于所述第二含量， 所述预设体积小于所 述密封腔体的容积； 以及 根据获取的温度压力控制指令控制设置于所述密封腔体的侧壁的加热装置加热， 在预 定时间内维持所述密封腔 体内的温度在所述温度压力控制指令指示的温度范围， 以及气压 在所述温度压力控制指 令指示的压力范围， 利用所述目标蚀刻剂 选择性刻蚀 并去除所述待 刻蚀物上的待刻蚀层。 2.根据权利要求1所述的选择性蚀刻方法， 其特征在于， 所述第一含量为[90%， 99%]； 以 及 所述第二含量 为[1%， 10%） 。 3.根据权利要求2所述的选择性蚀刻方法， 其特征在于， 所述温度范围为[120℃， 180 ℃]； 及/或 所述压力范围为[101KPA， 10 00KPA]。 4.根据权利要求3所述的选择性蚀刻方法， 其特征在于， 所述预定时间关联于所述待刻 蚀层的刻蚀速率及 刻蚀量。 5.根据权利要求4所述的选择性蚀刻方法， 其特征在于， 所述预定时间取 决于所述刻 蚀 量与所述刻蚀速率的比值。 6.根据权利要求1所述的选择性蚀刻方法， 其特征在于， 在所述密封腔体 内的温度维持 在所述温度范围内预定时间之后， 还 包括： 控制设置 于所述密封腔体的底部的卸压阀打开， 排除所述密封腔体内的液体； 控制设置于所述密封腔体的顶盖的喷淋部向所述待刻蚀物喷淋温度梯度递减的清洗 液， 以降温并去除所述待刻蚀物上的颗粒物； 以及 控制所述加热装置以预设烘干温度对所述待刻蚀物进行干燥处 理。 7.根据权利要求1所述的选择性蚀刻方法， 其特征在于， 所述预设体积为所述密封腔体 的容积的5 0%‑80%。 8.根据权利要求1所述的选择性蚀刻方法， 其特征在于， 所述酸性物质包括二氧化碳、 氮气、 柠檬酸、 醋酸或其组合。 9.根据权利要求1所述的选择性蚀刻方法， 其特征在于， 所述待刻蚀层包括氮化硅层、 氮氧化硅层、 氮碳 化硅层、 氧化硅层或其组合。 10.一种选择性蚀刻装置， 其特征在于， 用于对反应槽密封腔体内的待刻蚀物进行刻 蚀， 所述装置包括： 温度与压力监控 模块， 用于监控所述密封腔体内的温度与气压； 控制器， 与所述温度与压力监控 模块连接， 被 配置为： 控制所述密封腔体的内部涌 入预设体积的目标蚀刻剂， 所述目标蚀刻剂包括第 一含量 的蒸馏水及第二含量的酸性物质， 所述第一含量大于所述第二含量， 所述预设体积小于所 述密封腔体的容积； 以及 根据温度压力控制指令控制设置于所述密封腔体的侧壁的加热装置加热， 在预定时间权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115376915 A 2内维持所述密封腔体内的温度在所述温度压力控制指 令指示的温度范围， 以及气 压在所述 温度压力控制指令指示的压力范围， 利用所述目标蚀刻剂 选择性刻蚀并去除所述待刻蚀物 上的待刻蚀层。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115376915 A 3