ICS 27.160 F 12 DB13 河 北 省 地 方 标 准 DB 13/T 5092—2019 太阳能级类单晶硅锭用方籽晶通用 技术要求 2019 - 11 - 28 发布 河北省市场监督管理局 2019 - 12 - 28 实施 发 布 DB13/T 5092—2019 前 言 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由河北省太阳能光伏标准化技术委员会(HeB/TC 14)归口。 本标准起草单位:英利能源(中国)有限公司、保定天威英利新能源有限公司。 本标准主要起草人:张莉沫、孟庆超、夏新中、刘磊、李英叶、张丽娜、史金超、陈志军。 I DB13/T 5092—2019 太阳能级类单晶硅锭用方籽晶通用技术要求 1 范围 本标准规定了太阳能级类单晶硅锭用方籽晶的技术要求和试验方法。 本标准适用于将晶向为<100>的单晶硅棒开方后按一定厚度切割得到的类单晶硅锭用方籽晶。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T 4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 29054 太阳能级铸造多晶硅块 GB/T 30453 硅材料原生缺陷图谱 3 术语和定义 GB/T 14264、GB/T 30453和GB/T 29054界定的及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 方籽晶 square seed 在类单晶硅锭铸造过程中起到诱导形核作用的晶硅薄块。 3.2 晶面旋转角 rotation angle of the crystal face 单晶硅棒在开方前相对于单晶硅棱线位置旋转的角度(见图1中α)。 1 DB13/T 5092—2019 图 1 晶面旋转角示意图 3.3 圆角弦长 rounded corner chord length 开方时因切割位置出现偏差导致方籽晶角部出现圆角,圆角弦长为开方切割线与晶棒的交点的直 线距离(见图2中c)。 图 2 圆角弦长示意图 4 要求 4.1 外观 4.1.1 崩边和缺口数量总数≤1,缺口宽度 a≤2 mm,缺口延伸度 h≤2 mm,见图 3。 2 DB13/T 5092—2019 说明: a——正投影方向上的宽度(缺口连线长度); h——正投影方向上的延伸度(垂直于缺口连线,与缺口内部边缘相交所能获得的最大直线距离)。 图 3 方籽晶崩边示意图 4.1.2 圆角数量≤1,圆角弦长 c≤5 mm。 4.1.3 表面质量要求表面洁净、需抛光(化学)、无沾污、无手印。 4.2 规格尺寸 规格尺寸要求见表1。 表 1 规格尺寸要求 项目 要求 边长/mm 158×158,156.75×156.75,或由供需双方商定 同批次边长偏差/mm ±0.25 厚度/mm 10~35 单块厚度变化量 ±5 % 同批次厚度偏差 ±5 % 相邻两边垂直度/° 900.3,或由供需双方商定 4.3 性能 4.3.1 导电类型为电中性(不掺杂)或由供需双方商定。 4.3.2 晶面旋转角 α 的范围为 10°~45°,允许的偏差为 α  0.5°或由供需双方商定。 4.3.3 晶向偏离度为2°。 18 3 4.3.4 间隙氧含量≤1.0×10 atoms/cm 。 16 3 4.3.5 代位碳含量≤5×10 atoms/cm 。 3 DB13/T 5092—2019 4.3.6 晶体完整性要求无星形结构、无六角网络、无旋涡、无孔洞和杂质、无杂质条纹。 2 4.3.7 位错密度≤3000 个/cm ,且无滑移位错。 5 试验方法 5.1 外观 5.1.1 崩边、缺口、圆角弦长采用钢直尺或相应精度的仪器进行。 5.1.2 表面质量采用目视法进行。 5.2 规格尺寸 5.2.1 边长、厚度检验采用游标卡尺或相应精度的仪器进行。 5.2.2 相邻两边垂直度检验采用万能角度尺或相应精度的量具进行。 5.3 性能 5.3.1 导电类型的检验按 GB/T 1550 的规定进行。 5.3.2 晶面旋转角采用万能角度尺进行。如有需求可以对方籽晶侧面的晶向进行检测,通过计算得出 晶面旋转角的数值。 5.3.3 晶向及晶向偏离度检验按 GB/T 1555 进行或由供需双方协商确定。 5.3.4 间隙氧含量的检验按 GB/T 1557 的规定进行。 5.3.5 代位碳含量的检验按 GB/T 1558 的规定进行。 5.3.6 晶体完整性的检验按 GB/T 1554 的规定进行。 5.3.7 位错密度的检验按 GB/T 4058 的规定进行或由供需双方协商确定。 _________________________________ 4

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