ICS 31.080.99 CCS L 90 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T43493.2—2023/IEC 63068-2:2019 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的 无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法 Semiconductor device-Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devicesPart 2:Test method for defects using optical inspection (IEC63068-2:2019.IDT) 2023-12-28发布 2024-07-01实施 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会 GB/T43493.2—2023/IEC63068-2:2019 目 次 前言 引言 1 范围 2 规范性引用文件 3 术语和定义 光学检测方法 4.1 通则 4.2 原理 4.3 测试需求 4.4 参数设置 4.5 测试步骤 4.6 评价 4.7 精密度 4.8 测试报告 附录A（资料性） 缺陷的光学检测图像 A.1 概述 A.2 微管 A.3 TSD A.4 TED A.5 BPD A.6 划痕痕迹 A.7 堆垛层错 11 A.8 延伸堆垛层错 12 A.9 复合堆垛层错 A.10 多型包裹体 14 A.11 颗粒包裹体 A.12 台阶聚集簇 16 参考文献
GB-T 43493.2-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法
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GB-T 43493.2-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法
