(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210493970.4 (22)申请日 2022.04.29 (71)申请人 合肥晶威特电子有限责任公司 地址 230001 安徽省合肥市蜀山区经济技 术开发区云谷路25 69号 (72)发明人 陈维彦　侯诗益　汪鑫　董书霞　 袁亮　王杰　丁一奇　王磊　吕成　 徐茂东　汪洋　葛军　马文勇　 (74)专利代理 机构 合肥和瑞知识产权代理事务 所(普通合伙) 34118 专利代理师 马舒　柯凯敏 (51)Int.Cl. G01R 23/02(2006.01) G01R 1/04(2006.01) G01N 21/95(2006.01)G01N 21/01(2006.01) G01H 17/00(2006.01) (54)发明名称 一种光刻wafer音叉晶片的频率测量方法 (57)摘要 本发明公开了一种光刻wafer音叉晶片的频 率测量方法， 测量仪器包括定位平台， 其内部开 设有与负压源连通的负压 管路； wafer片， 固定在 定位平台上； 测量系 统， 设置在wafer片上方， 测 量系统的探针与频率计连接， 探针依序对wafer 片上的各音叉晶片 的根部施加振动； 负压孔， 开 设在定位平台上并与 负压管路连通， 负压孔与音 叉晶片位置对应； 所述探针施加振动时负压孔关 闭， 所述探针离开音叉晶片后负压孔开启。 本发 明快速消耗音叉晶片的振动能量， 从而结束该区 域音叉晶片的起振， 使 得探针到达下一测量的音 叉晶片时可直接进行测量， 大幅提高了测量效 率。 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 CN 115078826 A 2022.09.20 CN 115078826 A 1.一种光刻wafer音叉晶片的频率测量方法， 其特 征在于， 包括如下步骤: S1、 完成测量仪器的组装， 该测量仪器包括定位平台(1)， 其内部开设有与负压源连通 的负压管路(15)； wafer片(2)， 固定在定位平台(1)上； 测量系统(3)， 设置在wafer片(2)上方， 测量系统(3)的探针(31)与频率计连接， 探针 (31)依序对wafer片(2)上的各音叉晶片(21)的根部施加振动； 负压孔(14)， 开设在定位平台(1)上并与负压管路(15)连通， 负压孔(14)与音叉晶片 (21)位置对应； 所述探针(31)施加振动时负压孔(14)关闭， 所述探针(31)离开音叉晶片 (21)后负压孔(14)开启； S2、 将wafer片(2)放置在定位平台(1)上， 使wafer片(2)与各定位凸起(12)抵接， 启动 负压源确保wafer片(2)通过吸附孔(13)被负压吸附固定， 此时电磁阀(15 3)关闭； S3、 调整X向滑台(51)、 Y向滑台(53)、 Z向滑台(52)的位置， 使探针(31)与第一组音叉晶 片(21)根部 抵接， CCD识别系统(4)该音叉晶片(21)进行识别观测； S4、 探针(31)对音叉晶片(21)根部施加振动， 频率计测量该音叉晶片(21)的振动频率， 测量完成后通过X向滑台(51)、 Y向滑台(53)、 Z向滑台(52)的相对移动带动探针(31)移动至 下一音叉晶片(21)根部； S5、 步骤S4中， 探针(31)移动时电磁阀(153)开启， 通过负压孔(14)对测量完的音叉晶 片(21)所在区域施加瞬时负压， 并在探针(31)到达下一音叉晶片(21)根部前关闭电磁阀 (153)； S6、 探针(31)到达下一音叉晶片(21)根部后， 重复步骤S4、 S5， 沿S型的测量路径对完成 全部音叉晶片(21)的测量， 关闭负压源并取 出wafer片(2)。 2.根据权利要求1所述的一种光刻wafer音叉晶片的频率测量方法， 其特征在于， 所述 定位平台(1)上开设有与wafer片(2)表面贴合的吸附孔(13)， 所述负压管路(15)分流形成 与吸附孔(13)连通的第一负 压通道(151)以及与负压孔(14)连通的第二负 压通道(152)， 所 述第二负压通道(152)上设置有电磁阀(15 3)以控制负压孔(14)的启闭。 3.根据权利 要求1或2所述的一种光刻wafer音叉晶片的频率测量方法， 其特征在于， 所 述定位平台(1)表 面凸设有与wafer片(2)抵接的并呈L型分布的定位凸起(12)， 各定位凸起 (12)彼此配合后形成对wafer片(2)直角定位的定位端。 4.根据权利 要求1或2所述的一种光刻wafer音叉晶片的频率测量方法， 其特征在于， 所 述测量系统(3)上开设有位于探针(31)上方的观测口(32)， CCD识别系统(4)固定在测量系 统(3)上且C CD识别系统(4)的检测口朝向探针(31)方向。 5.根据权利 要求1或2所述的一种光刻wafer音叉晶片的频率测量方法， 其特征在于， 定 位平台(1)以及测量系统(3)均安装在固定座(5)上， 所述固定座(5)上设置有彼此垂直布置 的X向滑台(51)以及Y向滑台(53)， 定位平台(1)固定在X向滑台(51)的安装座(531)上； 所述 Y向滑台(53)上还固定有沿铅垂方向运动的Z向滑台(52)， 测量系统(3)被Z向滑台(52)上的 固定臂(521)夹紧 固定。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 115078826 A 2一种光刻wafer音叉晶片的频率测量方 法 技术领域 [0001]本发明涉及半导体领域， 具体是一种光刻wafer音叉晶片的频率测量方法。 背景技术 [0002]在21世纪随着技术的进步以及市场应用的变化， 石英晶体谐振器呈现先小型化、 高精度、 低功耗的发展趋势。 其次， 石英晶体谐振器 向更高精度与更高稳定度方向发展。 石 英晶体谐振器逐渐小 型化、 薄片化和片式化， 为其提高精度和稳定度提出更大挑战。 从市场 应用角度看， 石英晶体谐振器为电子产品提供稳定的时钟频率， 其精度和稳定度对下游产 品的质量、 性能以及后 期维护成本具有至 关重要的影响。 小 型化、 超高频石英晶体谐振器是 未来5G应用的技术发展趋势。 而光刻音 叉晶片是超小 型音叉型晶体谐振器最主要的原物料 之一， 是小型低功耗谐振器核心部件， 晶片的好坏 将直接决定器件的性能。 [0003]晶片经加工后得到的wafer片， 需对整片wafer片上的音叉晶片进行频率测量， 目 前频率测量需要通过探针来进 行， 探针对音 叉晶片施加振动后， 会产生振动波， 影响相邻产 品起振， 需要等待相邻产品起振结束后再进行测量， 测量效率极低； 与此同时由于wafer片 厚度极低， 测量时不 易固定， 因此亟 待解决。 发明内容 [0004]为了避免和克服现有技术中存在的技术问题， 本发明提供了一种光刻wafer音叉 晶片的频率测量方法， 大幅提高了对音叉晶片的测量效率。 [0005]为实现上述目的， 本发明提供如下技 术方案： [0006]一种光刻wafer音叉晶片的频率测量方法， 其特 征在于， 包括如下步骤: [0007]S1、 完成测量仪器的组装， 该测量仪器包括定位平台， 其内部开设有与负压源连通 的负压管路； [0008]wafer片， 固定在定位平台上； [0009]测量系统， 设置在wafer片上方， 测量系统的探针与频率计连接， 探针依序对wafer 片上的各音叉晶片的根部施加振动； [0010]负压孔， 开设在定位平台上并与负压管路连通， 负压孔与 音叉晶片位置对应； 所述 探针施加振动时负压孔关闭， 所述探针离开音叉晶片后负压孔 开启； [0011]S2、 将wafer片放置在 定位平台上， 使wafer片与各定位凸起抵接， 启动负压源确保 wafer片通过吸附孔被负压吸附固定， 此时电磁阀关闭； [0012]S3、 调整X向滑台、 Y向滑台、 Z 向滑台的位置， 使探针与第一组音叉晶片根部抵接， CCD识别系统该音叉晶片进行识别观测； [0013]S4、 探针对音叉晶片 根部施加振动， 频率计测量该音叉晶片的振动频率， 测量完成 后通过X向滑台、 Y向滑台、 Z向滑台的相对移动带动探针移动至下一音叉晶片根部； [0014]S5、 步骤S 4中， 探针移动时电磁阀开启， 通过负压孔对测量完的音叉晶片所在区域 施加瞬时负压， 并在探针到 达下一音叉晶片根部前关闭电磁阀；说　明　书 1/4 页 3 CN 115078826 A 3