(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210911877.0 (22)申请日 2022.07.29 (71)申请人 成都元豪科技有限公司 地址 610041 四川省成 都市武侯区双安 南 巷1号 (72)发明人 陈燕汉　 (51)Int.Cl. G06Q 10/06(2012.01) G06Q 10/10(2012.01) G06T 7/00(2017.01) G06T 7/62(2017.01) G06V 10/44(2022.01) (54)发明名称 一种基于智慧工厂的半导体制造工艺流程 智能监测分析系统 (57)摘要 本发明公开一种基于智慧工厂的半导体制 造工艺流程智能监测分析系统， 包括： 晶圆制造 流程获取模块、 晶圆切片合理性分析模块、 晶圆 切片外观 缺陷分析模块、 晶圆切片流程规范性分 析模块、 晶圆修圆合理性分析模块、 晶圆厚度均 匀性分析模块、 晶圆修圆流程规范性分析模块、 晶圆清洁流程规范性分析模块、 数据库和预警终 端， 本发明通过对晶圆的切片流程、 修圆流程和 清洁流程进行分析， 弥补了 现有技术中对晶圆成 品进行监测和分析的缺陷， 分析结果比较全面， 本发明在对晶圆的切片流程和修圆流程分析时， 从多个维度对晶圆的切片流程规范系数和修圆 流程系数进行分析， 从多个方面评判晶圆流程的 规范性， 提高了晶圆制造流 程的规范性。 权利要求书4页 说明书9页 附图1页 CN 115271464 A 2022.11.01 CN 115271464 A 1.一种基于智慧工厂的半导体制造工艺流程智能监测分析系统， 其特征在于， 包括： 晶 圆制造流程 获取模块、 晶圆切片合理性分析模块、 晶圆切片 外观缺陷分析模块、 晶圆切片流 程规范性分析模块、 晶圆修圆合理性分析模块、 晶圆厚度均匀性分析模块、 晶圆修圆流程规 范性分析模块、 晶圆清洁流 程规范性分析模块、 数据库和预警 终端； 所述晶圆制造流程获取模块用于获取晶圆制造流程， 进而得到晶圆制造流程包括切 片、 修圆和清洁； 所述晶圆切片合理性分析模块用于在晶圆切片后的合理性进行分析， 进而得到晶圆切 片对应的合理系数； 所述晶圆切片外观缺陷分析模块用于对晶圆切片的外观缺陷进行分析， 进而得到晶圆 切片对应的外观缺陷系数； 所述晶圆切片流程规范性分析模块用于根据晶圆切片对应的合理系数和外观缺陷系 数分析晶圆对应的切片流 程规范系数； 所述晶圆修圆合理性分析模块用于对晶圆修 圆的合理性进行分析， 进而得到晶圆对应 的修圆合理系数； 所述晶圆厚度均匀性分析模块用于对晶圆厚度的均匀性进行分析， 进而得到晶圆对应 的厚度均匀系数； 所述晶圆修圆流程规范性分析模块用于根据晶圆对应的修圆合理系数和厚度均匀系 数分析晶圆对应的修圆流 程规范系数； 所述晶圆清洁流程规范性分析模块用于对晶圆的清洁度进行分析， 进而得到晶圆对应 的清洁流 程规范系数； 所述数据库用于存储晶圆切片的标准厚度、 标准尺寸和清洁图像， 存储各种外观缺陷 类型对应的权重因子， 存储晶圆修圆标准图片， 存储晶圆的标准厚度、 清洁图像， 并存储各 种外观脏 污类型单位面积对应的比例系数； 所述预警终端用于根据晶圆对应的切片流程规范系数、 修 圆流程规范系数和清洁流程 规范系数进行相应预警。 2.根据权利要求1所述的一种基于智慧工厂的半导体制造工艺流程智能监测分析系 统， 其特征在于： 所述晶圆切片对应的合理系数的具体分析 方法为： A1： 对晶圆切片后的图像进行采集； A2： 基于采集的 晶圆切片图像获取晶圆的切片参数， 所述切片参数包括厚度和尺寸； A3： 将晶圆切片的厚度与数据库中存储的晶圆切片的标准厚度进行对比， 进而计算晶 圆切片对应的厚度合理系数， 其计算公式为： 其中η表示晶圆切片对应的厚 度合理系数， T、 T ′分别表示晶圆切片的厚度、 晶圆切片的标准厚度； A4： 将晶圆切片的尺寸与数据库中存储的晶圆切片的标准尺寸进行对比， 进而计算晶 圆切片对应的尺寸合理系数， 其计算公式为： 其中μ表示晶圆切片对应的尺 寸合理系数， h、 h ′分别表示晶圆切片的尺寸、 晶圆切片的标准尺寸； A5： 根据晶圆切片对应的厚度合理系数、 尺寸合理系数分析晶圆切片对应的合理系数，权　利　要　求　书 1/4 页 2 CN 115271464 A 2其计算公式为： 其中 表示晶圆切片对应的合理系数。 3.根据权利要求2所述的一种基于智慧工厂的半导体制造工艺流程智能监测分析系 统， 其特征在于： 所述晶圆切片对应的外观缺陷系数的具体分析 方法为： B1： 使用摄 像机对晶圆切片之后进行外观图像采集； B2： 将采集的晶圆切片的外观图像与数据库中存储的晶圆切片的清洁图像进行对比， 并由此识别出晶圆切片的外观缺陷参数， 所述外观缺陷参数包括外观缺陷类型和外观缺陷 面积； B3： 从晶圆切片的外观缺陷参数中提取外观缺陷类型， 并将其与数据库中存储的各种 外观缺陷类型对应的权重因子进 行匹配， 进而匹配出晶圆切片对应外观缺陷类型的权重因 子； B4： 根据晶圆切片的尺寸获取晶圆切片的面积； B5： 根据晶圆切片的面积、 外观缺陷面积和外观缺陷类型的权重因子分析晶圆切片对 应的外观缺陷系数， 其计算公式为： 其中 表示晶圆切片对应的外观缺陷系数， s′、 s分别表示晶圆切片的面积、 外观缺陷面积， λ表 示晶圆切片对应外观 缺陷类型的权重因 子。 4.根据权利要求3所述的一种基于智慧工厂的半导体制造工艺流程智能监测分析系 统， 其特征在于： 所述晶圆对应的切片流程规范系数的具体公式为： 其中φ表示 晶圆对应的切片流 程规范系数。 5.根据权利要求1所述的一种基于智慧工厂的半导体制造工艺流程智能监测分析系 统， 其特征在于： 所述晶圆对应的修圆合理系数的具体分析 方法为： C1： 使用摄 像机对晶圆修圆之后的图像进行采集； C2： 从采集的晶圆修圆图像中提取晶圆的外边缘轮廓线， 并获取晶圆的外边缘轮廓线 长度； C3： 从数据库中存储的晶圆修圆标准图片中提取外边缘轮廓线， 并将其记为标准外边 缘轮廓线； C4： 将晶圆的外边缘轮廓线与晶圆的标准外边缘轮廓线进行重合对比， 进而得到晶圆 的外边缘轮廓线与标准外边 缘轮廓线的线条重合长度； C5： 根据晶圆的外边缘轮廓线与 标准外边缘轮廓线的线条重合长度和外边缘轮廓线长 度分析晶圆对应的修圆合理系数， 其计算公式为： 其中θ表示晶圆对应的修圆合 理系数， l、 l ′分别表示晶圆的外边缘轮廓线与标准外边缘轮廓线的线条重合长度、 外边缘 轮廓线长度。 6.根据权利要求5所述的一种基于智慧工厂的半导体制造工艺流程智能监测分析系 统， 其特征在于： 所述晶圆对应的厚度均匀系数的具体分析 方法为： D1： 以晶圆的圆心为原点建立 三维坐标系； D2： 在晶圆的指定一面随机获取各测试点， 并将晶圆各测试点分别编号为1,2,..., i,...,n；权　利　要　求　书 2/4 页 3 CN 115271464 A 3