UDC 621.382. 032.26 L 50 GB 中华人民共和国国家标准 GB 1 2 5 65 --- 9 0 半导 体善 器件 光电子器件分规范 Semiconductor devices Sectional. specification for optoelectronic devices （可供认证用） 国家标准全文公开系统专用，此文本仅供个人学习、研究之用 未经授权，禁止复制、发行、汇编、翻译或网络传播等，侵权必究。 全国标准信息公共服务平台：https：//stdl.samr.gov.cn 1990-12-12发布 1991-10-01实施 国家技术监督局 发布 中华人民共和国国家标准 半导体 器 件 光电子器件分规范 GB 12565-- 90 Semiconductor devices Sectional specification for optoelectronic devices （可供认证用） 1 范围 1.1 半导体光发射器件 光电子显示器件； b. 发光二极管(LED)； 红外发射二极管(IRED)； 激光二极管。 1.2半导体光敏器件 a. 光敏二极管； b. 光敏三极管； c. 光控闸流晶体管。 1.3半导体图像器件。 1.4光耦合器。 2 总则 本规范应与其有关的总规范一起使用；本规范规定了评定半导体光电子器件所需的质量评定程序、 检验要求、筛选顺序、抽样要求、试验和测试方法的细节。 2.1·有关文件 GB4589.1(IEC747-10/QC700000)《半导体器件分立器件和集成电路总规范》 2.2温度的推荐值（优选值） 见IEC747-1《半导体器件分立器件和集成电路第一部分总则》第6.5条。 2.3，电压和电流的推荐值（优选值） 见IEC747-1第6.6条。 3质量评定程序 3.1初始的制造阶段和转包 初始的制造阶段为下述之一 单晶半导体器件 改变纯P型或纯N型单晶半导体材料的第一道工序。 b．多晶半导体器件 国家技术监警局1990-12-12批准 1991-10-01实施 1 GB12565-—90 在衬底上淀积多晶层。 3.2结构相似器件 器件型号按结构相似分组的关键依据是组内各种型号间的差别不影响试验结果 对本文件来说： 结构相似器件是指由同一制造单位采用基本相同的设计和相同的材料、工序和方法制造的器件。通 常仅因为制造上的变化使得它们被分为具有不同电特性、光特性或辐射特性的各种型号 为了获得鉴定批准和质量一致性检验所用的样品，半导体光电子器件可以按下述规则分组。 附录A（补充件）的图解释了这些规则的应用。 3.2.1A组和(或)B组中电和光特性测试的分组 具有相同的器件设计、在同生产线上制造的而差别仅在按电和光特性极限值进行分类的器件，应 根据这些不同的电和光特性极限值（被分成各种型号）分为不同型号的子批。 上述器件最好应包含在同一详细规范中，但是在任何情况下都应在鉴定批准试验报告中说明所采 用的分组细节。 3.2.1.1不同的电和光特性极限值 对于那些适用于各子批的不同的电和光特性极限值的具体测试，每个子批应抽取与各子批器件数 相应的样品量。 上述具体测试的实例为 a. 光敏器件按不同的光敏灵敏度分成各个子批； b，光耦合器按不同的输入传输比分成各个子批； C. 发光器件按不同的发光或辐射强度分成各个子批。 3.2.1.2相同的电和光特性极限值 对于那些适用于所有子批的相同的电或光特性极限值和测试条件的具体测试，用下述之一种测试 评定总批： a. 由所有子批的相等的或成比例的数量组成的一组样品； b．从总批中随机抽取的一组样品。 3.2.2B组和（或)C组中环境试验的分组 用相同方法封装的、具有相同内部机械结构基本型式、由相同零部件制成的、并经共同的密封和涂 覆程序的器件，按下述可以认为是结构相似的。按规定抽取的一组样品可以评定该相似器件的总批。 注：“相同零部件”系指按相同图纸或相同规范自制的或购得的合格零部件。 3.2.2.1相同生产线制成的器件 上述分组能适用的试验有： a. 目检； b. 尺寸； 焊接：可焊性和耐焊接热； d. 引出端强度； e. 腐蚀（例如稳态湿热）； 温度变化和湿热循环（或密封）； g. 振动； 恒定加速度； i. 冲击。 注：①“相同生产线”系指具有等效的设备、相同的工艺规程控制图或规范、使用相同零部件和材料、设置在同一厂 区并能生产相同器件的生产线。 ②这些器件是指在相同生产线上制造的，并用相同零部件制成的管壳封装的。 2